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ステータス

全バージョンが製造を中止しています。

データシート

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製品概要

DS2070Wは16Mbのリフロー可能な不揮発性(NV) SRAMであり、スタティックRAM (SRAM)、NVコントローラ、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成されています。これらの構成部品は、256ボールBGAの表面実装モジュールに収められています。VCCがモジュールに印加されているときは常に、MLバッテリが再充電され、SRAMに外部電源から給電されて、SRAMの内容を変更することができます。VCCがパワーダウンするか、または許容範囲外になると、コントローラによってSRAMの内容は書込み保護され、SRAMはバッテリから給電されます。また、DS2070Wは電源モニタ出力のアクティブローRSTも備えています。これはマイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用することができます。

主な特長		アプリケーション/用途
シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ MLバッテリおよびチャージャ内蔵 VCCが許容範囲外になると無条件にSRAMを書込み保護 VCC電源障害が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え 内蔵電源モニタによって、定格VCC (3.3V)を下回る電源障害を検出 リセット出力をマイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用可能 工業用温度範囲：-40℃～+85℃ UL® (Underwriters Laboratories)認定		データ収集システム 火災警報器 ゲーム用PLC 産業用コントローラ POS端末 RAIDシステムおよびサーバ ルータ/スイッチ

アプリケーションノート

Application Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions - DS2070W (English only) Application Note 2077: Using Dallas Semiconductor NV SRAMs in RAID Applications - DS2070W (English only) アプリケーションノート3693：マキシムがシングルピースNV SRAMモジュールの設計を選択する理由 - DS2070W Application Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM - DS2070W (English only) Application Note 3954: Characteristics of Manganese Lithium (ML) Batteries - DS2070W (English only) Application Note 4289: Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM - DS2070W (English only)

信頼性レポート

信頼性レポートの請求： DS2070W (English only) UL® (Underwriters Laboratories)認定

ソフトウェア/モデル

なし

オーダー情報

注： 製品購入のための方法およびリンク：http://japan.maxim-ic.com/sales 必要な情報が見つかりませんか？マキシムのアプリケーションエンジニアに質問してください。通常翌営業日以内に、製品を探すための専門的なお手伝いをします。 型番サフィックス：TまたはT&R = テープ&リール、 + = RoHS/鉛フリー、# = RoHS/鉛免除。詳細：フルデータシートまたはマキシム製品の型番の見方を参照。 *パッケージの中にはいくつかのバリエーションがあるものがあり、図面に記載されています。｢パッケージコード/バリエーション｣は製品が使用しているバリエーションを示しています。型番サフィックスにある「+」、「#」、「-」はRoHSステータスを表わすことに注意してください。パッケージ図面は異なるサフィックス文字を示すことがあります。

デバイス： 1-1 / 1

DS2070W	無料 サンプル	直接購入 (English Only)	ステータス	パッケージ： タイプ ピン数 実装面積   図面コード/バリエーション *	温度範囲	RoHS/鉛フリー 成分分析
DS2070W-100#		N/A	製造中止	ランドパターン： 提供されていません	0℃～+70℃	データシートを参照

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新製品プレスリリース 2006-11-30

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