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ステータス

入手可能：生産中

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フルデータシート (PDF, 252kB) 英語 ダウンロードする DS3508は、プログラマブルな8チャネルガンマ電圧ジェネレータで、各チャネルは1バイトのEEPROMおよび1バイトのSRAMメモリを内蔵しています。各チャネルは、独立した8ビットDAC、および対応するEEPROM/SRAMペアで構成されています。電源投入時、不揮発性(NV) EEPROMガンマデータが、関連する8ビットDACを駆動する対応したSRAMレジスタにロードされます。内蔵の制御レジスタによって、SRAM/EEPROMまたはSRAMのみへの書込みが選択可能な制御を行うことができます。 DS3508は、低電力動作用に設計され、VDD電源からの消費電流はわずか2mA (typ)です。プログラミングは、最大400kHzの速度に対応するI²C対応のシリアルインタフェースを通じて行います。

主な特長		アプリケーション/用途
8ビットガンマDAC、8チャネル 1バイトEEPROMおよび1バイトSRAM (チャネル単位) 超低電力(2mA IDD、typ) 400kbps I²Cインタフェース アナログ電源：9.0V～15.5V ディジタル電源：2.7V～5.5V 20ピンTSSOPパッケージ アドレス端子によって、同一I²Cバス上に2つのDS3508を接続可能		産業用制御 TFT LCDガンマバッファ

Key Specifications:  Programmable Gamma Buffers

Part Number

Total Channels

Programmable Channels

Resolution (bits)

Integrated Nonvolatile Memory

VCOM Calibrator

VCOM Buffer

Interface

VSUPPLY (V)

IQ (mA)

Package/Pins

Smallest Available Pckg. (mm2)

Oper. Temp. (°C)

Price

max w/pins

See Notes

DS3508

8

8

8

Yes

No

No

I2C

9 to 15.5

4

TSSOP/20

45

-45 to +95

$0.90 @1k

全Programmable Gamma Buffers (14)

図

標準動作回路

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2008-03-31
このページの最終更新日： 2009-07-31