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フルデータシート (PDF, 300kB) 英語 ダウンロードする DS3510は、プログラマブルガンマおよびVCOM電圧ジェネレータで、ガンマ/VCOMデータの内蔵EEPROMメモリへのリアルタイム更新およびマルチバイトストレージの両方をサポートします。個別にアドレス指定可能な各ガンマまたはVCOMチャネルは、独立した8ビットDAC、2つの8ビットデータレジスタ、および4バイトのEEPROMメモリを備えています。高性能のバッファアンプが内蔵され、レイルトゥレイル、低電力(400µA/ガンマチャネル)動作を提供します。VCOMチャネルは、広範なTFT LCDパネルのVCOMノードの駆動に最適化された大電流ドライブ(ピーク250mA以上)および高速セトリングバッファアンプを備えています。 プログラミングは、I²C対応のシリアルインタフェースを通じて行います。インタフェースの性能とフレキシビリティは、チャネルごとにロードされる1組のデータレジスタ、および最大400kHzのI²C速度によって強化されています。マルチテーブルEEPROMメモリによって、温度または光源レベル依存のガンマテーブル、出荷時またはフィールドでの自動ディスプレイ調整のイネーブル、およびシステムパワーを削減するためのバックライト調光アルゴリズムへの対応を含む、ディスプレイシステムの多種多様な機能強化を可能にします。電源投入時およびモードに応じて、DACデータは、S0/S1パッド選択によるEEPROMから、または固定メモリアドレスから選択されます。

主な特長		アプリケーション/用途
8ビットガンマバッファ、10チャネル 8ビットVCOMバッファ、1チャネル 4バイトEEPROM (チャネル当り) 低電力400µA/chガンマバッファ I²C対応のシリアルインタフェース I²Cまたは端子からのフレキシブルな制御 アナログ電源：9.0V～15.0V ディジタル電源：2.7V～5.5V 7mm x 7mmの48ピンTQFNパッケージ		適応型ガンマおよびVCOM調整(I²Cによるリアルタイム、I²CまたはS0/S1パッドでのEEPROMの選択) 産業用プロセス制御 TFT LCDガンマおよびVCOMバッファ

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