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DS3510
EEPROM内蔵、I²CガンマおよびVCOMバッファ

EEPROM内蔵、プログラマブル電圧ジェネレータ


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ステータス
入手可能:生産中

製品概要
フルデータシート (PDF, 300kB)
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DS3510は、プログラマブルガンマおよびVCOM電圧ジェネレータで、ガンマ/VCOMデータの内蔵EEPROMメモリへのリアルタイム更新およびマルチバイトストレージの両方をサポートします。個別にアドレス指定可能な各ガンマまたはVCOMチャネルは、独立した8ビットDAC、2つの8ビットデータレジスタ、および4バイトのEEPROMメモリを備えています。高性能のバッファアンプが内蔵され、レイルトゥレイル、低電力(400µA/ガンマチャネル)動作を提供します。VCOMチャネルは、広範なTFT LCDパネルのVCOMノードの駆動に最適化された大電流ドライブ(ピーク250mA以上)および高速セトリングバッファアンプを備えています。

プログラミングは、I²C対応のシリアルインタフェースを通じて行います。インタフェースの性能とフレキシビリティは、チャネルごとにロードされる1組のデータレジスタ、および最大400kHzのI²C速度によって強化されています。マルチテーブルEEPROMメモリによって、温度または光源レベル依存のガンマテーブル、出荷時またはフィールドでの自動ディスプレイ調整のイネーブル、およびシステムパワーを削減するためのバックライト調光アルゴリズムへの対応を含む、ディスプレイシステムの多種多様な機能強化を可能にします。電源投入時およびモードに応じて、DACデータは、S0/S1パッド選択によるEEPROMから、または固定メモリアドレスから選択されます。

主な特長   アプリケーション/用途
  • 8ビットガンマバッファ、10チャネル
  • 8ビットVCOMバッファ、1チャネル
  • 4バイトEEPROM (チャネル当り)
  • 低電力400µA/chガンマバッファ
  • I²C対応のシリアルインタフェース
  • I²Cまたは端子からのフレキシブルな制御
  • アナログ電源:9.0V~15.0V
  • ディジタル電源:2.7V~5.5V
  • 7mm x 7mmの48ピンTQFNパッケージ

 
  • 適応型ガンマおよびVCOM調整(I²Cによるリアルタイム、I²CまたはS0/S1パッドでのEEPROMの選択)
  • 産業用プロセス制御
  • TFT LCDガンマおよびVCOMバッファ

    Key Specifications:  Programmable Gamma Buffers
    Part Number Total Channels Programmable Channels Integrated Nonvolatile Memory VCOM Calibrator VCOM Buffer Interface VSUPPLY
    (V)
    IQ
    (mA)
    Package/Pins Oper. Temp.
    (°C)
    Price
    See Notes
    DS3510  10 10 Yes No Yes I2C 9 to 15 15
    See Data Sheet/
    -45 to +95 $1.30 @1k
    全Programmable Gamma Buffers (14)

    DS3510:標準動作回路
    標準動作回路

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    2008-02-13
    このページの最終更新日: 2009-07-31


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