リフロー可能なバッテリを内蔵した、業界初および唯一の高密度、表面実装、シングルピースNV SRAMモジュール
| 編集者の方へ：マキシム/ダラスセミコンダクタは、リフロー可能なバッテリをワンチップに内蔵したNV SRAMのDS2070/DS3070を提供する業界初で唯一のメーカーです。競合製品のソリューションでは、手作業の半田付けが必要となる場合、または追加の組立工程およびコストがかかるツーピースの表面実装ソリューションのいずれかとなります。DS2070/DS3070はこのような追加の組立工程が不要で、生産時間およびコストを削減します。DS2070/DS3070は、様々なメモリ容量が入手可能で、これらはすべて同じピン配置および実装面積となるため、アプリケーションは大幅な設計変更をすることなくメモリ容量を増やすことのできる柔軟性を持っています。 |
テキサス州ダラス—2006年11月30日—マキシム・インテグレーテッド・プロダクツ(NASDAQ：MXIM)の完全子会社であるダラスセミコンダクタは、リフロー可能なバッテリを内蔵した業界初の高密度、シングルピース、表面実装、不揮発性(NV) SRAMモジュールのDS2070W+100 (2M x 8ビット)およびDS3070W+100 (RTC内蔵2M x 8ビット)を発表しました。
NV SRAMモジュールのDS2070W/DS3070Wは、単純に、市場における他のNV SRAMモジュールとまったく異なるものです。これらのデバイスはリフロー可能なバッテリをシングルピースソリューションに集積化しています。標準的な組立工程で、これらのモジュールを取扱うのは単純で、使い勝手がよく、既存のピックアンドプレース機を使用して出荷トレーから取り出して配置することができます。これらのモジュールは標準的なSMT工程にも対応しており、+225℃ (+0/-5℃)のピークリフロー温度で30秒間耐えます。リフロー後、モジュールは特別な注意を払うことなく水性洗浄剤で洗浄可能です。
DS2070/DS3070のリフロー可能なバッテリの重要性は、他社の従来型ツーピース表面実装ソリューションと比較した場合によくわかります。ツーピースの表面実装ソリューションは、余分な組立工程およびコストが必要で、業界で現在使用されている一次電池はリフローができないため、バッテリ取扱いの際には特別な注意を払う必要があります。したがって、ベース(バッテリなしのもの)がまずリフローされ、その後バッテリを含む組立が組立工程の最後に手作業で置かれます。これらの余分な組立工程を取り除くことによって、DS2070W/DS3070Wは生産時間およびコストを削減します。
完全内蔵で便利なモジュールのDS2070W/DS3070Wは、常時Vccを監視するインテリジェント回路を用いることによって、予期しない電力損失から重要なデータを保護します。モジュールにVccが印加されると、常に内蔵のマンガンリチウムバッテリを再充電し、外部電源からSRAMを駆動し、SRAM内容の修正を許可します。許容範囲を超えた条件下では、バッテリは
自動的にオンになり、データ破壊を防止するための書込み保護が無条件でイネーブルになります。実行可能な書込みサイクルの数に制限はなく、マイクロプロセッサのインタフェースに追加のサポート回路は必要ありません。
シングルピースNV SRAMモジュールのDS2070W/DS3070Wは、マキシム/ダラスの従来のシングルピースNV SRAMモジュールと構成および機能が類似の完全スタティックメモリです。これらのモジュールはSRAM、EEPROM、またはフラッシュ部品の代わりに使用可能で、32k x 8ビットから2M x 8ビットまでのメモリ容量で入手可能です。すべてのメモリ容量が同じ実装面積およびピン配置を備え、大幅な設計変更を必要とせずにアプリケーションはメモリ容量を増やすことのできる柔軟性を備えます。
DS2070W/DS3070Wは、RoHS準拠、27mm x 27mm、256ピンBGAパッケージで提供され、外部環境から完全に封止されています。これらのデバイスは、-40℃～+85℃の工業用温度範囲で動作します。参考価格はDS2070W+100が$38.41、DS3070W+100が$42.25 (1000個以上、FOB USA)となっています。
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